光刻是一種使用曝光將設計的掩模圖案轉(zhuǎn)移到基板上的工藝。紫外光刻機是專為實驗室研發(fā)和小批量生產(chǎn)而設計的高分辨率光刻系統(tǒng)。光刻機提供良好的基板適應性，可夾持標準尺寸基板的最大直徑為150mm。該設備提供多種曝光方式，包括真空、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可實現(xiàn)鍵合對準、納米壓紋、微接觸密封等多種功能。

　　雙面對位的整體設計技術(shù)采用CCD圖像底部對位技術(shù)和單曝光頭正面曝光實現(xiàn)。采用新型高精度、多自由度光罩樣品精密對準工作臺結(jié)構(gòu)設計，光罩樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高。掩膜板和樣品的放置采用推拉式參考板和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負膠，通過顯影可對樣品進行精細圖案化。

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米技術(shù)。而且，該系列光刻機已被多家企業(yè)、研發(fā)中心、科研院所、高校采用作為其光刻系統(tǒng)的基礎；其過硬的技術(shù)、技術(shù)和良好的服務贏得了廣大用戶的青睞。

　　作為光刻系統(tǒng)，重要的UV曝光機技術(shù)在于以下兩個方面：掩模晶圓對準和將掩模上的圖案復制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準備。紫外光刻機系統(tǒng)的曝光方式采用壓力可調(diào)的接觸式曝光，有效減少光刻膠對掩膜的污染和掩膜的磨損，從而提高掩膜的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統(tǒng)以其高性價比令人印象深刻。